动态二次离子质谱仪 (D-SIMS)

动态二次离子质谱仪 (D-SIMS)

动态二次离子质谱(D-SIMS)是利用高能量、高密度离子束对材料进行层层剥离,同时检测在不同深度下的二次离子信息,从而动态地剖析材料的元素在三维空间的分布情况。

项目介绍

动态二次离子质谱(D-SIMS)是利用高能量、高密度离子束对材料进行层层剥离,同时检测在不同深度下的二次离子信息,从而动态地剖析材料的元素在三维空间的分布情况。

样品要求

常规样品尺寸最好为7*7mm左右大小,两面平整,测试面抛光,标注好测试面。其他尺寸也可以测试,大于7*7mm需要裂片,裂片不收费,小于5mm需要收取制样费。

测试结果

定量分析掺杂元素和杂质元素的浓度,薄膜的成分和厚度等,广泛应用于半导体材料的成分测定,用于制造工艺的校正,有助于提高产品良率。

AlInGaP LD
AlInGaP LD
AlGaAs VCSEL
AlGaAs VCSEL
Si中的B掺杂
Si中的B掺杂
SiC的Al注入
SiC的Al注入